太赫兹分辨率板P-TTT-2-1200是专门为表征太赫兹成像系统而开发的。它具有2 μm到8 mm横向尺寸的结构和区域，适用于标准衍射限制系统以及亚波长分辨率的近场成像系统。
分辨率板的衬底基于高阻硅，包含三种不同传输强度的导体区域，以及传输强度最大的非涂层衬底区域。典型结构包括三条纹结构正交对、西门子星型和同心圆等经典分辨率测试结构。这些典型的结构伴随着进一步的结构，特别是用于近场成像的目的，如产生局部场约束的超材料结构。此外，还列出了对薄板电阻成像和晶圆扫描应用有帮助的参考领域。
技术参数：
衬底材料
High-resistivity FZ silicon, 2-side polished
衬底电阻率
> 10 kOhm cm
衬底厚度
镀膜材料
镀膜厚度
Cr: 10 nm, 50 nm and 60 nm (in semi-transparent areas)
Au: 50 nm (opaque)
三条纹正交对结构
2 – 1200 µm wide lines & spaces
45° rotated for 2 - 460 µm wide line & spaces
6 mm outer diameter, 18 elements
5.6 mm outer diameter
Ring widths from 10 – 500 µm in increasing steps
Four areas, each 6.7 mm x 8.3 mm
Six areas, each 2 mm x 6.7 mm
Tilting angles: 0°, 18°, 36°, 54°, 72°, 90°
蝴蝶结型阵列超材料
300 µm length, 5µm gap
非对称双狭缝阵列超材料
3 µm and 6 µm slit width and spaces
