磷化镓晶体 GaP晶体太赫兹晶体-上海屹持光电技术有限公司

磷化镓晶体 GaP晶体太赫兹晶体

更新：2026-04-14 10:27:39 点击：

品牌： Eachwave
型号： GaP

产品介绍

磷化镓晶体产品简介

磷化镓晶体是一种人工合成的化合物半导体材料。外观：橙红色透明晶体。磷化镓是一种由ⅢA族元素镓(Ga)与VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数5.447±0.06埃，化学键是以共价键为主的混合键，其离子键成分约为20%，300K时能隙为2.26eV，属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。

（110）晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时域光谱仪中作为探测晶体探测太赫兹脉冲，其横光学支声子线在11THz。通常可探测的频谱宽度在0.1-6.5THz。

中文名：磷化镓

外文名：Gallium phosphide

分子式：GaP

分子量：100.6968

实验结果图为40fs钛蓝宝石激光泵浦宽谱光电导天线，400um厚GaP晶体探测的结果

GaP磷化镓晶体型号列表

品名	型号	晶向	尺寸（mm）	厚度(mm)
GaP磷化镓晶体	GaP-110-5-0.03	<110>-cut	5*5	0.03
GaP磷化镓晶体	GaP-110-10-0.05	<110>-cut	10*10	0.05
GaP磷化镓晶体	GaP-110-10-0.1	<110>-cut	10*10	0.1
GaP磷化镓晶体	GaP-110-10-0.3	<110>-cut	10*10	0.3
GaP磷化镓晶体	GaP-110-10-0.4	<110>-cut	10*10	0.4
GaP磷化镓晶体	GaP-110-10-0.5	<110>-cut	10*10	0.5
GaP磷化镓晶体	GaP-110-10-1	<110>-cut	10*10	1
GaP磷化镓晶体	GaP-110-10-2	<110>-cut	10*10	2
GaP磷化镓晶体	GaP-110-10-2.5	<110>-cut	10*10	2.5
GaP磷化镓晶体	GaP-110-10-10-0.1-3	厚度100um的 [110]切向GaP晶体，光学贴合在厚度3mm的 [100] 切向GaP磷化镓晶体衬底上
GaP磷化镓晶体	GaP-110-10-10-0.3-3	厚度300um的 [110]切向GaP晶体，光学贴合在厚度3mm的 [100] 切向GaP磷化镓晶体衬底上